电子工程师的网站
首 页 |  新闻资讯 | 最新产品 | 解决方案 | 技术参数
设计应用
电路图 | 技术资料 | 芯片资料 | 技术论坛
  现在位置: 首页 > 设计应用 > 单片机 > 详细信息
单片机:单片机控制的PWM斩波式交流净化稳压电源
来源: http://www.ic37.com   时间: 2007-9-25 11:13:09    
  摘要:介绍了传统的正弦能量分配交流净化稳压电源的基本原理及如何用高频斩波和单片机技术对其进行改造。 
     
    
  关键词:高频
  目前,在各种交流稳压电源中,采用正弦能量分配技术的交流净化稳压电源是一种技术先进的稳压电源。这种电源主要是通过改变晶闸管的触发角θ,来控制调感支路的等效电感,从而起到稳定输出电压的作用。它具有性价比高、可靠性好等特点。
    
     
    
  但是这种方式产生的谐波较多,电感损耗较大,噪音明显,尤其对电网产生很大干扰。为此,笔者用高频PWM斩波技术对其进行改造,用MOSFET或IGBT代替TBIAC,通过调节高频交流斩波器的脉冲宽度来调节等效电感。较好地解决了上述问题。
  传统的正弦波交流净化电源原理如图1所示。
    
     
    
  图1中T是带气隙的自耦变压器,输入交流电接T的B点,由C点输出稳定的交流电压。L、L1和L2是线性电感器,L和双向晶闸管V组成调感支路。L1和C1组成3次谐波滤波器,L2和C2组成5次谐波器波器,减小输出电压的失真度。采用脉冲相位控制技术改变双向晶闸管V和导通角,从而调整L的等效电感值,从T的N2绕组取得补偿电压,达到稳压目的。
  用高频斩波技术改造传统的正弦波交流净化电源的关键是用高频交流开关取代双向晶闸管。高频交流开关有两种形式:整流桥+IGBT式和MOSFET反串联式,如图2所示。
    
     
    
  整流桥+IGBT式适合于大功率电源,MOSFET反串联式适合中小功率电源。下面具体介绍以整流桥+IGBT为交流功率开关、AVR系列单片机90S8535为控制核心的单片机控制高频斩波调感式交流稳压电源。其原理框图如图3所示。
  由于是感性负载,又不能像直流斩波那样加续流回路,所以要给IGBT加开通和关断缓冲电路。高频交流开关控制采用了EPWM直流等电位调制技术。为使波形半波奇对称和四分之一偶对称,以消除傅里叶级数中的余弦项和偶次谐波,使载波比N=fc/fs=4k,K=1,2,3…,fc为三角波频率,fs为市电工频;调制M=Δt/TΔ=ΔU/ΔUc,Δt为脉冲宽度,TA=1/fc为三角波周期、Uc为三角波幅值、ΔU为输出电压的偏差,三角波电压的文程式为:
    
     输出电压偏差ΔU为采样电压,触发脉冲起点和终点的方程式为:
     式中TΔ=2π/N,各触发脉冲的起点角和终点角的数值为:
     α1=(TΔ/2)-(TΔ-2)(ΔU/Uc)=π/N(1-M)
     α2=[π/N](1+M)
     α3=[π/N](3-M)
     α4=[π/N](3+M)
     由于PWM斩波波形是镜对称和原点对称,因此它的傅里叶级数中将只包含正弦项中的奇次谐波,即:
    
     学计算,当n=KN±1时(K=1,2,3,4…)
    
     当n≠KN±1时,bn≠KN±1=0
     对于基波,n=1
    
  由上比可知,N越大谐波频率越高。采用很小的LC滤波器就可以滤掉uLe中的所有高次谐波。
  如求等效电感Le,通过使uL=uLe,uL1=ULmsinωt,对于uLe,忽略掉其中的高次谐波时(高次谐波被L、C滤掉)uLe=MUmsinωt,当uL、uLe用有效值表示有:UL=MUle,两边各除以电流的有效值IL,则可得:
  ωL1=MωLe,Le=L1/M
  EPWM示意波形如图4所示。
    
     
    
  AVR90S8535是8位RISC结构单片机,在8MHz晶振5V工作电压时,单指令周期为125ns。内含8MHz晶振5V工作电压时,单指令周期为125ns。内含8路10位ADC,最快转换时间为65μs,带有模拟比较器和两个8/9/10位PWM功能的16位定时器/计数器,以及可编程的看门狗定时器,非常适合做高速PWM控制器。由图3可以看到,AVR90S8535完成交流输入、输出电压和输出电流的采样。同时由调感支路产生的过零同步信号也一起输入单片机,过零同步信号的频率为100Hz,每当过零同步信号输入单片机时就触发一次中断。在中断子程序中,单片机根据输出采样电压计算EPWM占空比,该占空比赋予单片机的PWM定时器。AVR90S8535的PWM定时器设定为16kHz的PWM输出。PWM斩波频率太低太高都不好。斩波频率太低时,交流开关关断时被控电感续流电流对交流开关并联电容充电,使得交流开关耐压提高;斩波频率太高时,交流开关开通损耗又会过大。单片机同时还完成故障保护、输入输出的数字化设定和显示等功能。程序流程如图5所示。
    
     
    
  以高频斩波和单片机技术改造传统的正弦波交流净化电源,成本上虽然增加一些但技术上却带来了突破。它使得产品显示直观、设置方便,电感器和电容器所承受的谐波应力大大减小,功耗减小,特别对输入端的谐波电流分量大大减小,可以满足当前越来越严格的谐波规范要求,要今后电源的发展方向。
相关信息
发表评论
打印本页 关闭本页
瑞萨科技推出用于移动电话相机电子闪光控制的200A IGBT
    瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)日前宣布,推出用于嵌入移动电话和数码相机(DSC)的相机电子闪灯(Strobe*2)控制的RJP4004ANS IGBT*1。RJP4004ANS采用业界最小的VSON-8(超薄小外形无铅8引脚封装,瑞萨封装代码)封装,具有处理高达200A大电流的能力。样品交付将于2007年6月从日本开始。 RJP4004ANS主要特性 (1)业界最小的封装,具有200A的大电流能力   VSON-8是业界最小...
>>详细内容
飞兆推电流检测用点火IGBT器件FGB3040CS
    飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前推出一颗电流检测用点火IGBT器件FGB3040CS,可以在应用中省去用于检测大电流的检测电阻,从而将功耗降低30%并减少由此带来的热量。FGB3040CS具有电流检测功能,能以小型的低电流检测电阻替代高功率的检测电阻,成功简化系统元件的需求及降低总体成本。FGB3040CS采用EcoSPARK技术设计,提供了高能量密度的点火IGBT。这项技术可让芯片尺寸缩...
>>详细内容
飞兆发布高效N沟道MOSFET FDS881XNZ系列
    飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)近日推出全新的高效N沟道MOSFET系列,提供高达8kV的ESD (HBM)电压保护,较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。利用飞兆半导体的Power Trench工艺,这些低导通阻抗(RDS(ON)) MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗...
>>详细内容
Vishay推出高频75V、2A半桥式MOSFET驱动器
    Vishay Intertechnology近日宣布推出可提供2A峰值汇和源栅极驱动电流的高频75V半桥式n通道MOSFET驱动IC。  这款新型SiP41111尤其适用于通常需要40V或60V电压的汽车应用。该75V MOSFET驱动器可用于汽车中的高强度放电管,以及各种终端产品中的高压降压转换器、推拉式转换器、全桥与半桥式转换器、有源钳位正向转换器、电源、电机控制及D类音频系统。  该款SiP41111具有75V的最大自...
>>详细内容
Vishayn通道MOSFET驱动IC可提供2A峰值汇
    Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值汇和源栅极驱动电流的高频75V半桥式n通道MOSFET驱动IC。这款新型SiP41111适用于通常需要40V或60V电压的汽车应用。该75VMOSFET驱动器可用于汽车中的高强度放电管,以及各种终端产品中的高压降压转换器、推拉式转换器、全桥与半桥式转换器、有源钳位正向转换器、电源、电机控制及D类音频系统。  该款SiP41111具有75V的最大自举电源电...
>>详细内容
Microsemi发布标准IGBT三相桥式电源模块
    MicrosemiCorporation日前新推出一系列采用SP3紧凑封装的标准IGBT三相桥式电源模块。该系列电源模块设计用于电机控制,采用快速NPTIGBT的3相IGBT桥用于20~50KHz高频应用,采用场沟漕截止IGBT用于5~20KHz的低频应用。所有新款整流器都集成有用于监控模块内部温度的传感器以实现过热保护。   快速NPT类IGBT的电流等级分别为:30A~50A/600V、15~25A/1200V;场沟漕截止型IGBT的电流...
>>详细内容
已有(
)位对此新闻感兴趣的网发发表了看法 >>更多评论
内 容:
     
 
热点新闻
一周排行
关于我们 | 服务项目 | 付款方式 | 广告服务 | 联系我们 | 友情链接 | 投诉 建议 合作 | 网站地图 | 加入收藏
Copyright © 2007-2008 WEEQOO.COM Corp.All Rights Reserved. 版权所有 经营许可证编号:浙B2-20050339 法律声明
维库电子旗下网站:维库电子市场网 | ChinaICMart | 维库电子开发网 | 维库电子人才网
总部:杭州市下城区朝晖路182号国都发展大厦1号楼80A
电话:0571-85889139-8007 QQ:303939539 | MSN:zh1226@hotmail.com |  邮箱:laz8258@163.com dzsc51@163.com