 | 瑞萨科技推出用于移动电话相机电子闪光控制的200A IGBT |
| | 瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)日前宣布，推出用于嵌入移动电话和数码相机(DSC)的相机电子闪灯(Strobe*2)控制的RJP4004ANS IGBT*1。RJP4004ANS采用业界最小的VSON-8(超薄小外形无铅8引脚封装，瑞萨封装代码)封装，具有处理高达200A大电流的能力。样品交付将于2007年6月从日本开始。
RJP4004ANS主要特性
(1)业界最小的封装，具有200A的大电流能力
VSON-8是业界最小...
>>详细内容 |
| 飞兆推电流检测用点火IGBT器件FGB3040CS |
| | 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前推出一颗电流检测用点火IGBT器件FGB3040CS，可以在应用中省去用于检测大电流的检测电阻，从而将功耗降低30%并减少由此带来的热量。FGB3040CS具有电流检测功能，能以小型的低电流检测电阻替代高功率的检测电阻，成功简化系统元件的需求及降低总体成本。FGB3040CS采用EcoSPARK技术设计，提供了高能量密度的点火IGBT。这项技术可让芯片尺寸缩...
>>详细内容 |
| 飞兆发布高效N沟道MOSFET FDS881XNZ系列 |
| | 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)近日推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD (HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。利用飞兆半导体的Power Trench工艺，这些低导通阻抗(RDS(ON)) MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗...
>>详细内容 |
| Vishay推出高频75V、2A半桥式MOSFET驱动器 |
| | Vishay Intertechnology近日宣布推出可提供2A峰值汇和源栅极驱动电流的高频75V半桥式n通道MOSFET驱动IC。 这款新型SiP41111尤其适用于通常需要40V或60V电压的汽车应用。该75V MOSFET驱动器可用于汽车中的高强度放电管，以及各种终端产品中的高压降压转换器、推拉式转换器、全桥与半桥式转换器、有源钳位正向转换器、电源、电机控制及D类音频系统。 该款SiP41111具有75V的最大自...
>>详细内容 |
| Vishayn通道MOSFET驱动IC可提供2A峰值汇 |
| |
Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值汇和源栅极驱动电流的高频75V半桥式n通道MOSFET驱动IC。这款新型SiP41111适用于通常需要40V或60V电压的汽车应用。该75VMOSFET驱动器可用于汽车中的高强度放电管，以及各种终端产品中的高压降压转换器、推拉式转换器、全桥与半桥式转换器、有源钳位正向转换器、电源、电机控制及D类音频系统。 该款SiP41111具有75V的最大自举电源电...
>>详细内容 |
| Microsemi发布标准IGBT三相桥式电源模块 |
| | MicrosemiCorporation日前新推出一系列采用SP3紧凑封装的标准IGBT三相桥式电源模块。该系列电源模块设计用于电机控制，采用快速NPTIGBT的3相IGBT桥用于20～50KHz高频应用，采用场沟漕截止IGBT用于5～20KHz的低频应用。所有新款整流器都集成有用于监控模块内部温度的传感器以实现过热保护。 快速NPT类IGBT的电流等级分别为：30A～50A/600V、15～25A/1200V；场沟漕截止型IGBT的电流...
>>详细内容 |