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专用芯片技术：2N5551的技术参数
来源: 时间: 2007-4-18 14:42:17
产品型号:2N5551
类型:NPN
集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):160
集电极最大电流Ic(max)(mA):0.600
直流电流增益hFE最小值(dB):80
直流电流增益hFE最大值(dB):250
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100
封装/温度(℃):TO92/-55~150
价格/1片(套):￥.35
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2N5551RLRMG的技术参数
产品型号:2N5551RLRMG类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):160集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.600直流电流增益hFE最小值(dB):80直流电流增益hFE最大值(dB):250最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100功率耗散PD（W）@25℃:1.500封装/温度(℃):TO-92/-55~150价格/1片(套):暂无
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2N5551RLRAG的技术参数
产品型号:2N5551RLRAG类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):160集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.600直流电流增益hFE最小值(dB):80直流电流增益hFE最大值(dB):250最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100功率耗散PD（W）@25℃:1.500封装/温度(℃):TO-92/-55~150价格/1片(套):暂无
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2N5551G的技术参数
产品型号:2N5551G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):160集电极最大电流Ic(max)(mA):600直流电流增益hFE最小值(dB):80直流电流增益hFE最大值(dB):250最小电流增益带宽乘积fT(MHz):100封装/温度(℃):TO92/-55~150价格/1片(套):￥.35
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2N5551RL1G的技术参数
产品型号:2N5551RL1G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):160集电极最大电流Ic(max)(mA):600直流电流增益hFE最小值(dB):80直流电流增益hFE最大值(dB):250最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100封装/温度(℃):TO92/-55~150价格/1片(套):￥.34
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