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专用芯片技术:NTLJD3115PT1G的技术参数
来源:   时间: 2007-4-18 14:37:53    
产品型号:NTLJD3115PT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):1
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100
最大漏极电流Id(on)(A):1
通道极性:P/P沟道
封装/温度(℃):DFN-6/-55~150
描述:-20V,-4.1A,uCOOL双P沟道功率MOSFET
价格/1片(套):¥3.20
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