专用芯片技术:NTD4813NT4G的技术参数

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专用芯片技术：NTD4813NT4G的技术参数

来源: 时间: 2007-4-18 14:37:39

产品型号:NTD4813NT4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):13
最大漏极电流Id(on)(A):40
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK 4/-55~175
描述:40A,30V,,N沟道功率MOSFET
价格/1片(套):￥3.10

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