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专用芯片技术：NTD4809NT4G的技术参数
来源: 时间: 2007-4-18 14:37:39
产品型号:NTD4809NT4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9
最大漏极电流Id(on)(A):58
通道极性:N
封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175
描述:30V,58A,N沟道MOSFET
价格/1片(套):暂无
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