 | NTB18N06L的技术参数 |
| | 产品型号:NTB18N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85最大漏极电流Id(on)(A):15通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55~175描述:15A,60V功率MOSFET价格/1片(套):￥4.10
>>详细内容 |
| NTB13N10的技术参数 |
| | 产品型号:NTB13N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):－最大漏极电流Id(on)(A):13通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55~175描述:13A,100V功率MOSFET价格/1片(套):￥4.80
>>详细内容 |
| NTB125N02RT4G的技术参数 |
| | 产品型号:NTB125N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):24(min)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600最大漏极电流Id(on)(A):125通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK 3/-55 ~150描述:125 A, 24 V 功率MOSFET价格/1片(套):￥7.60
>>详细内容 |
| NTA7002NT1G的技术参数 |
| | 产品型号:NTA7002NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30(min)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):2000最大漏极电流Id(on)(A):0.154通道极性:N沟道封装/温度(℃):SC-75/-55 ~150描述:小信号N沟道230 V, 154 mA, MOSFET 带ESD保护价格/1片(套):￥.44
>>详细内容 |
| NTA4153NT1G的技术参数 |
| | 产品型号:NTA4153NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):26(min)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9500最大漏极电流Id(on)(A):0.915通道极性:N沟道封装/温度(℃):SC-75/-55 ~150描述:小信号N沟道20 V, 915 mA, MOSFET 带ESD保护价格/1片(套):￥1.15
>>详细内容 |
| NTA4151PT1G的技术参数 |
| | 产品型号:NTA4151PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20(min)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):360最大漏极电流Id(on)(A):0.760通道极性:P沟道封装/温度(℃):SC-75/-55 ~150描述:小信号p沟道-20 V, -760 mA MOSFET 带ESD保护价格/1片(套):￥1.16
>>详细内容 |