电子工程师的网站
首 页 |  新闻资讯 | 最新产品 | 解决方案 | 技术参数
设计应用
电路图 | 技术资料 | 芯片资料 | 技术论坛
  现在位置: 首页 > 设计应用 > 专用芯片技术 > 详细信息
专用芯片技术:LM324ADTBG的技术参数
来源:   时间: 2007-4-18 14:23:12    
产品型号:LM324ADTBG
工作电压Min.(V):3,±1.5
工作电压Max.(V):32,±16
带宽GBW(典型值)(MHz):1
转换速率(典型值)(V/us):0.600
输入失调电压(25℃,Max.)(mV):3
输入偏置电流(Max.)(nA):45
最大工作电流ID(mA):0.700
共模抑制比(Min.)(dB):70
噪声电压(典型值)(nV/rtHz):-
通道数:4
电源供电方式:单/双
封装/温度(℃):Soic-14/0~70
描述:低功耗四运放
价格/1片(套):¥1.80
相关信息
发表评论
打印本页 关闭本页
NTB18N06L的技术参数
  产品型号:NTB18N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85最大漏极电流Id(on)(A):15通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55~175描述:15A,60V功率MOSFET价格/1片(套):¥4.10
>>详细内容
NTB13N10的技术参数
  产品型号:NTB13N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):-最大漏极电流Id(on)(A):13通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55~175描述:13A,100V功率MOSFET价格/1片(套):¥4.80
>>详细内容
NTB125N02RT4G的技术参数
  产品型号:NTB125N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):24(min)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600最大漏极电流Id(on)(A):125通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK 3/-55 ~150描述:125 A, 24 V 功率MOSFET价格/1片(套):¥7.60
>>详细内容
NTA7002NT1G的技术参数
  产品型号:NTA7002NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30(min)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):2000最大漏极电流Id(on)(A):0.154通道极性:N沟道封装/温度(℃):SC-75/-55 ~150描述:小信号N沟道230 V, 154 mA, MOSFET 带ESD保护价格/1片(套):¥.44
>>详细内容
NTA4153NT1G的技术参数
  产品型号:NTA4153NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):26(min)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9500最大漏极电流Id(on)(A):0.915通道极性:N沟道封装/温度(℃):SC-75/-55 ~150描述:小信号N沟道20 V, 915 mA, MOSFET 带ESD保护价格/1片(套):¥1.15
>>详细内容
NTA4151PT1G的技术参数
  产品型号:NTA4151PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20(min)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):360最大漏极电流Id(on)(A):0.760通道极性:P沟道封装/温度(℃):SC-75/-55 ~150描述:小信号p沟道-20 V, -760 mA MOSFET 带ESD保护价格/1片(套):¥1.16
>>详细内容
已有(
)位对此新闻感兴趣的网发发表了看法 >>更多评论
内 容:
     
 
热点新闻
一周排行
关于我们 | 服务项目 | 付款方式 | 广告服务 | 联系我们 | 友情链接 | 投诉 建议 合作 | 网站地图 | 加入收藏
Copyright © 2007-2008 WEEQOO.COM Corp.All Rights Reserved. 版权所有 经营许可证编号:浙B2-20050339 法律声明
维库电子旗下网站:维库电子市场网 | ChinaICMart | 维库电子开发网 | 维库电子人才网
总部:杭州市下城区朝晖路182号国都发展大厦1号楼80A
电话:0571-85889139-8007 QQ:303939539 | MSN:zh1226@hotmail.com |  邮箱:laz8258@163.com dzsc51@163.com