容错存储器概述
　　存储器是数字系统中常用的器件之一，是采用大规模集成电路存储芯片构成的。实际统计表明，存储器的主要错误是单个电路故障所引起的一位错或者相关多位错，而随机独立的多位错误极少。在按字节组织的内存储器中，主要错误模式为单字节错；而在按位组织的内存储器中，主要错误模式为单位错。

　　半导体存储器的错误大体上分为硬错误和软错误，其中主要为软错误。硬错误所表现的现象是在某个或某些位置上，存取数据重复地出现错误，出现这种现象的原因是一个或几个存储单元出现故障。软错误主要是由α粒子引起的，存储器芯片的材料中含有微量放射性元素，它们会间断地释放α粒子。这些粒子以相当大的能量冲击存储电容，改变其电荷，从而引起存储数据的错误。引起软错误的另一原因是噪声干扰。

　　随着存储芯片容量的增大，器件的成品率呈指数规律下降。通常人们一方面改良制造工艺以提高成品率，另一方面在电路设计时通过硬件冗余的方式来实现可靠性的提高。当前，VLSI存储器芯片的设计过程中主要采用两种错误检测与纠正方案。

　　● 备份行(或列)方案
　　这种方案是在存储芯片的设计与制造过程中，增加若干备份的行(或列)。在芯片测试时，若发现失效的行(或列)，则通过激光(或电学)的处理，用备份行(或列)去代替它们。这种方法的优点是设计简单，管芯面积增加较少，电路速度没有损失。但是，它需要增加某些测试与修正失效行(或列)的工艺环节，更重要的弱点是这种方案仅适用于RAM，不能用于ROM。

　　● 纠错编码方案
　　这种方案是在存储芯片内部采用纠错编码，自动检测并纠正错误。这种方案不需要额外的测试和纠正错误等工艺环节，除提高成品率外，还对可靠性有明显改进。这种方案最突出的优点是特别适合ROM，在对速度要求不高的情况下也可用于RAM。其主要缺点在于要占用额外的芯片面积，同时因编译码而影响芯片整个的工作速度。将用于存储器系统级的纠错编码等容错技术引入存储器芯片内部，是提高存储芯片成品率和可靠性的有效措施，例如ECC内存就采用了此技术。

常用的纠错码简介
　　数据通信中常用的纠检错码有奇偶校验码、汉明码及其改进码。

　　● 在串行通信中使用的一维奇偶校验码是最简单的一种纠错码，它的编码规律是在数据位末尾添加一位校验位，使得整个码字中含有奇数或偶数个1，它能发现所有的奇数位错，但它不能用来纠正错误。需要指出的是采用二维奇偶校验码(即将数据按矩阵排列，分别对行、列进行一维奇偶校验编码)后，不仅可以纠正一位错，还能检出某些突发错误，所以在一些数据传输网络中得以应用。

　　● 汉明码是一种能纠一位错的线性分组码，由于它的编译码简单，在数据通信和计算机存储系统中广泛应用，如在蓝牙技术和硬盘阵列中。它的最小码距为3，可以纠正一位错误，但对于两位错不能检测，还可能会造成误纠。尽管发生一位错的概率相对最高，但在一些要求较高的应用中汉明码不能满足要求。

　　● 常用的能检测两位错同时能纠正一位错(简称纠一检二，SEC-DED)的纠错码有扩展汉明码(Extended Hamming Code)和最佳奇权码(Optimal Odd-Weight-Column Code)，它们的最小码距都为4，两者有相似之处，比如冗余度一样，对于数据位数k，校验位数r应满足2r-1≥k+r，当k＝16时，r＝6，数据位长增加一倍，校验位数只需增加一位，编码效率较高。另外从来源上讲，两者分别是汉明码的扩展码和截短码，也有资料称最佳奇权码为修正汉明码(Modified Hamming Code)。

　　本文应用于存储器的纠错码是面向随机字节数据的，一二维奇偶校验码都不能满足要求，只能从最佳奇权码和扩展汉明码中选取。从性能上看最佳奇权码比扩展汉明码更为优越，前者在纠检错能力方面也优于后者，它的三位错误的误纠概率低于后者，而四位错误的检测概率高于后者，最重要的是它便于硬件实现，故应用得最多，本文决定采用最佳奇权码。

编译码原理
　　首先构造最佳奇权码的校验矩阵即H矩阵，最佳奇权码的H矩阵应满足：

　　(1)每列含有奇数个1，且无相同列；
　　(2)总的1的个数少，所以校验位、伴随式生成表达式中的半加项数少，从而生成逻辑所需的半加器少，可以节约器材、降低成本和提高可靠性。
　　(3)每行中1的个数尽量相等或接近某个平均值，这种决定了生成逻辑及其级数的一致性，不仅译码速度快，同时线路匀称。

　　应用中采用(13，8，4)最佳奇权码，数据码为(d7d6···d1d0)，校验码为()，P矩阵和编码规则分别为：
　　译码时把数据再次编码所得到的新校验位与原校验位模二加，便得到伴随式S，由其可判别错误类型。
　　
　　(1)若S＝0，则认为没有错误；
　　(2)若S≠0，且S含有奇数个1，则认为产生了单位错；
　　(3)若S≠0，且S含有偶数个1，则认为产生了两位错；
　　其中的情况(2)中，根据错误图样可以确定错误位置，将其取反即可完成纠错。

　　因为对用户而言真正有用的是数据，校验位是无用的。为了节省时间和器材，只对数据纠错，而对校验位不进行纠错，纠错后的数据也不再写回存储器。

纠检错性能分析
　　纠一检二码可以校正单错，存储器不因单错而中断工作，故其平均无故障时间MTBF增大，提高了可靠性。但是纠一检二码的新增器材又使MTBF有所下降。

　　在效率上，设在时间T内，发生1位错的次数为n1，发生两位及多位错的次数为n2，则未采用纠错码时，平均无故障时间为
T1＝T/(n1+n2)＝T/(1+n1/n2)n2。

　　采用最佳奇权码后，一位错是可纠的，仅两位及多位错是不可纠的，作为出错处理。设由于采用纠错码而增加器材δ%，因而采用最佳奇权码后的平均无故障时间为
　　
　　据资料估计，对于1位错占整个错误的比例n1/(n1+n2)为80％～90％，δ＝8，增益G为4.6～9.3。

纠错系统原理框图
　　可以采用逻辑运算和ROM查表两种方法进行纠错，图1是逻辑运算纠错的原理框图，图2是ROM查表纠错的原理框图。



 



　　用逻辑运算进行纠错使用标准逻辑门电路实现，结构较复杂，容易产生时序错误及竞争冒险；用ROM查表进行纠错使用ROM/EPROM/E2PROM构成编码、译码表，电路结构简单，由于本文中的码长较短，所以采用易于实现的第二种方法，另外，也可采用PLD/CPLD/FPGA等可编程逻辑器件。

验证电路原理图
　　图3是验证电路原理图，采用Atmel公司51内核的AT89S8252单片机可实现在线编程，ECC ENABLE是控制校验位生成的口线，低电平有效，与写控制线进行或运算后使用。

总结
　　本文介绍了数字集成电路中提高存储器可靠性的途径，着重说明了使用纠错编码的方法，其中给出了使用最佳奇权码(扩展汉明码)的应用原理和实例，最终通过电路验证了该方案是可行有效的。