| RF/高频技术：采用陶瓷积层技术的LTCC高频组件 |
| 来源: 时间: 2007-5-25 10:58:48 |
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| Bluetooth/WLAN的超小型陶瓷天线 |
国巨电子尺寸为7.8 3.6 0.9mm的蓝芽/无线局域网络Bluetooth/WLAN的陶瓷天线是世界最小型的陶瓷天线之一。天线增益高达2.5dBi，天线频宽在 100至200MHz以上，宽频特性与足够的辐射效率， 可以满足2.4GHzISM频带系统的应用。天线理论与计算机辅助设计工具的研究与开发，使得天线尺寸大幅缩小，同时仍能维持良好天线特性。
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芯片型陶瓷天线的制造与设计技术，也在其它系统频带上广泛开发。如应用在1.575GHz GPS系统的圆形极化陶瓷天线，即有各种馈入方式与尺寸的产品开发。移动通信手机用天线的产品包括900MHz / 1.8GHz双频天线与第三代WCDMA 2.0GHz天线。 无线局域网络WLAN在5GHz频段快速发展，5.2GHz与5.8GHz的天线产品皆已开发，亦可满足2.45GHz /5GHz双频系统的应用。
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| 完整的天线系统解决方案 |
完整的天线系统设计包括手机或笔记型计算机的外观，结构与天线整体效能的综合考虑。设计，制造与测量的专业支持，为客户提供完整的天线系统的解决方案。如利用低成本FR4板材开发的平面倒F型天线(PlanarInverted F Antenna，PIFA)，即成功应用在双频与三频手机的隐藏式天线。
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| 射频前端组件与模块的设计制造 |
移动通讯手机与蓝芽/无线局域网络BluetoothTM /WLAN射频前端的关键性无源器件，如带通滤波器(Bandpassfilter，BPF)，低通滤波器(Low passfilter， LPF)，以及巴伦转换器(Balun transformer)等，也都进入产品线。射频前端关键性模块也是低温陶瓷共烧(Low Temperature Co-fired Ceramic，LTCC)小型化与高集成度的产品。
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| 低温陶瓷共烧产品的代工服务 |
低温陶瓷共烧(Low Temperature Co-fired Ceramic，LTCC)技术在系统级封装(System-in-a-package，SiP)的应用方兴未艾。组件数据库的仿真与建立，和稳定的制程品质，提供客户射频微波应用组件与模块的代工服务。
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国巨电子科技以其低温陶瓷共烧(LowTemperature Co-fired Ceramic， LTCC)稳定制程与电路设计支持能力， 提供完整且专业的代工服务。
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相关信息 |
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 | NTB18N06L的技术参数 | | | 产品型号:NTB18N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85最大漏极电流Id(on)(A):15通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55~175描述:15A,60V功率MOSFET价格/1片(套):￥4.10
>>详细内容 | | NTB13N10的技术参数 | | | 产品型号:NTB13N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):－最大漏极电流Id(on)(A):13通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55~175描述:13A,100V功率MOSFET价格/1片(套):￥4.80
>>详细内容 | | NTB125N02RT4G的技术参数 | | | 产品型号:NTB125N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):24(min)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600最大漏极电流Id(on)(A):125通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK 3/-55 ~150描述:125 A, 24 V 功率MOSFET价格/1片(套):￥7.60
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>>详细内容 | | NTA4151PT1G的技术参数 | | | 产品型号:NTA4151PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20(min)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):360最大漏极电流Id(on)(A):0.760通道极性:P沟道封装/温度(℃):SC-75/-55 ~150描述:小信号p沟道-20 V, -760 mA MOSFET 带ESD保护价格/1片(套):￥1.16
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