 | MMSZ8V2T1G的技术参数 |
| | 产品型号:MMSZ8V2T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):7.790齐纳击穿电压Vz典型值(V):8.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):8.610@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):15最大功率PMax(W):0.500芯片标识:V4封装/温度(℃):SOD123/-55~150价格/1片(套):￥.40
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| MMSZ6V8T1G的技术参数 |
| | 产品型号:MMSZ6V8T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.460齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.800齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.140@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):15最大功率PMax(W):0.500芯片标识:V2封装/温度(℃):SOD123/-65~150价格/1片(套):暂无
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| MMSZ6V2T1G的技术参数 |
| | 产品型号:MMSZ6V2T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.890齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):6.510@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):10最大功率PMax(W):0.500芯片标识:V1封装/温度(℃):SOD123/-65~150价格/1片(套):￥.38
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| MMSZ5V6T1G的技术参数 |
| | 产品型号:MMSZ5V6T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.320齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.880@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):40最大功率PMax(W):0.500芯片标识:U5封装/温度(℃):SOD123/-55~150价格/1片(套):￥.40
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| MMSZ5V1T3G的技术参数 |
| | 产品型号:MMSZ5V1T3G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):60最大功率PMax(W):0.500芯片标识:U4封装/温度(℃):SOD123/-55~150价格/1片(套):暂无
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| MMSZ5V1T1G的技术参数 |
| | 产品型号:MMSZ5V1T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):60最大功率PMax(W):0.500芯片标识:U4封装/温度(℃):SOD123/-55~150价格/1片(套):￥.40
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