电子工程师的网站
首 页 |  新闻资讯 | 最新产品 | 解决方案 | 技术参数
设计应用
电路图 | 技术资料 | 芯片资料 | 技术论坛
  现在位置: 首页 > 设计应用 > RF/高频技术 > 详细信息
RF/高频技术:凌力尔特推出400MHz至3.8GHz高线性度下变频混频器
来源:   时间: 2007-11-20 8:32:12    
  凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出新的高线性度、3.3V、下变频有源射频混频器 LT5557,该器件扩大了接收器的动态范围,同时扩展了带宽以覆盖直到 3.8GHz 的 3G 和 WiMAX 基站频率。LT5557 具有 24.7dBm IIP3,噪声指数为 11.7dB,在 1.95GHz 时的增益为 2.9dB。在 WiMAX 频率上该器件的性能仍然坚固,IIP3 为 23.5dBm,在 3.6GHz 时增益为 1.7dB。该性能利用一个低 -3dBm LO 输入驱动功率级来获得,从而实现了同类产品中最佳的 LO 隔离性能。在 1.95GHz 时,典型的 LO 至射频隔离度优于 42dBc。就这类高线性度混频器而言,LT5557 具有低功耗,采用 3.3V 电源时的典型值为 270mW。该器件含有多个片上射频变压器,以方便在射频和 LO 输入端实现单端、50Ω 匹配。这结合使该器件能够为各类型的无线基站组成经济、紧凑、易于使用和高性能的接收器。 

  LT5557 含有双平衡有源混频器核心拓扑,带有片上 LO 缓冲器。整个混频器内部都使用差分驱动,以最大限度地提高线性度和射频隔离度。单端至差分转换利用 RF 和 LO 输入端上的片内 RF 平衡-不平衡变换器来完成。该器件的宽工作频带覆盖了 850-965MHz GSM 和美国蜂窝频带、以及 1.7GHz 至 2.1GHz 3G 无线服务频带。LT5557 还支持美国的 2.6GHz WiMAX 工作频带和高达 3.8GHz 的全球WiMAX 工作频带。 

  LT5557 用单 3.3V 电源工作,消耗 81.6mA 静态电源电流,并具有停机功能。该芯片被禁止时,消耗的最大休眠电流为 100uA。这个器件采用 16 引线 4mm x 4mm QFN 表面贴装封装。 



  LT5557 与凌力尔特公司其他高性能下变频混频器是引脚兼容的。以 1,000 片为单位批量购买,每片起价为 5.95 美元。该产品有现货供应。 

  用于 WiMAX 的高线性度下变频混频器 

  性能概要:LT5557
  • 频率范围 400MHz 至 3.8GHz
  • IIP3 在 900MHz +25.6dBm
  在 1950MHz +24.7dBm
  在 2600MHz +23.7dBm
  在 3600MHz +23.5dBm
  • 转换增益(900-1950MHz) 3dB
  • LO 驱动 -3dBm
  • 噪声指数(900-950MHz) <11.7dB
  • LO-RF 隔离度 >42dB 


相关信息
发表评论
打印本页 关闭本页
NTB18N06L的技术参数
  产品型号:NTB18N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85最大漏极电流Id(on)(A):15通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55~175描述:15A,60V功率MOSFET价格/1片(套):¥4.10
>>详细内容
NTB13N10的技术参数
  产品型号:NTB13N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):-最大漏极电流Id(on)(A):13通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55~175描述:13A,100V功率MOSFET价格/1片(套):¥4.80
>>详细内容
NTB125N02RT4G的技术参数
  产品型号:NTB125N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):24(min)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600最大漏极电流Id(on)(A):125通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK 3/-55 ~150描述:125 A, 24 V 功率MOSFET价格/1片(套):¥7.60
>>详细内容
NTA7002NT1G的技术参数
  产品型号:NTA7002NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30(min)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):2000最大漏极电流Id(on)(A):0.154通道极性:N沟道封装/温度(℃):SC-75/-55 ~150描述:小信号N沟道230 V, 154 mA, MOSFET 带ESD保护价格/1片(套):¥.44
>>详细内容
NTA4153NT1G的技术参数
  产品型号:NTA4153NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):26(min)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9500最大漏极电流Id(on)(A):0.915通道极性:N沟道封装/温度(℃):SC-75/-55 ~150描述:小信号N沟道20 V, 915 mA, MOSFET 带ESD保护价格/1片(套):¥1.15
>>详细内容
NTA4151PT1G的技术参数
  产品型号:NTA4151PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20(min)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):360最大漏极电流Id(on)(A):0.760通道极性:P沟道封装/温度(℃):SC-75/-55 ~150描述:小信号p沟道-20 V, -760 mA MOSFET 带ESD保护价格/1片(套):¥1.16
>>详细内容
已有(
)位对此新闻感兴趣的网发发表了看法 >>更多评论
内 容:
     
 
热点新闻
一周排行
关于我们 | 服务项目 | 付款方式 | 广告服务 | 联系我们 | 友情链接 | 投诉 建议 合作 | 网站地图 | 加入收藏
Copyright © 2007-2008 WEEQOO.COM Corp.All Rights Reserved. 版权所有 经营许可证编号:浙B2-20050339 法律声明
维库电子旗下网站:维库电子市场网 | ChinaICMart | 维库电子开发网 | 维库电子人才网
总部:杭州市下城区朝晖路182号国都发展大厦1号楼80A
电话:0571-85889139-8007 QQ:303939539 | MSN:zh1226@hotmail.com |  邮箱:laz8258@163.com dzsc51@163.com